आईआरएफबी4227पीबीएफ
निर्माता:
इन्फिनियन टेक्नोलॉजीज
विवरण:
MOSFET N-CH 200V 65A TO220AB
श्रेणी:
असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद
विनिर्देश
Category:
Discrete Semiconductor Products
Transistors
FETs, MOSFETs
Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
5V @ 250µA
Operating Temperature:
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case:
TO-220-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
98 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
24mOhm @ 46A, 10V
FET Type:
N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
10V
Package:
Tube
Drain to Source Voltage (Vdss):
200 V
Vgs (Max):
±30V
Product Status:
Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
4600 pF @ 25 V
माउंटिंग प्रकार:
छेद से
Series:
HEXFET®
आपूर्तिकर्ता उपकरण पैकेज:
टू-220AB
Mfr:
Infineon Technologies
करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C:
65ए (टीसी)
Power Dissipation (Max):
330W (Tc)
प्रौद्योगिकी:
MOSFET (धातु ऑक्साइड)
Base Product Number:
IRFB4227
परिचय
एन-चैनल 200 V 65A (Tc) 330W (Tc) छेद के माध्यम से TO-220AB
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स्टॉक:
एमओक्यू: