PMXB120EPEZ
निर्माता:
नेक्सपेरिया यूएसए इंक
विवरण:
MOSFET पी-सीएच 30V 2.4A DFN1010D-3
श्रेणी:
असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद
विनिर्देश
श्रेणी:
असतत अर्धचालक उत्पाद ट्रांजिस्टर FETs, MOSFETs एकल FETs, MOSFETs
एफईटी सुविधा:
-
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी:
2.5V @ 250µA
परिचालन तापमान:
-55 डिग्री सेल्सियस ~ 150 डिग्री सेल्सियस (टीजे)
पैकेज / मामला:
3-एक्सडीएफएन एक्सपोज़्ड पैड
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस:
11 एनसी @ 10 वी
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस:
120mOhm @ 2.4A, 10V
एफईटी प्रकार:
पी-चैनल
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू):
4.5 वी, 10 वी
पैकेज:
टेप और रील (TR)
कट टेप (सीटी)
Digi-Reel®
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस):
30 वी
वीजीएस (अधिकतम):
± 20 वी
उत्पाद की स्थिति:
सक्रिय
इनपुट कैपेसिटेंस (Ciss) (अधिकतम) @ Vds:
309 पीएफ @ 15 वी
माउंटिंग प्रकार:
सतह माउंट
श्रृंखला:
-
आपूर्तिकर्ता उपकरण पैकेज:
DFN1010D-3
एमएफआर:
नेक्सपीरिया यूएसए इंक।
करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C:
2.4ए (टीए)
बिजली अपव्यय (अधिकतम):
400mW (टीए), 8.3W (टीसी)
प्रौद्योगिकी:
MOSFET (धातु ऑक्साइड)
मूल उत्पाद संख्या:
पीएमएक्सबी120
परिचय
पी-चैनल 30 V 2.4A (Ta) 400mW (Ta), 8.3W (Tc) सतह माउंट DFN1010D-3
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