PMV40UN2R
निर्माता:
नेक्सपेरिया यूएसए इंक
विवरण:
MOSFET एन-सीएच 30V 3.7A TO236AB
श्रेणी:
असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद
विनिर्देश
श्रेणी:
असतत अर्धचालक उत्पाद ट्रांजिस्टर FETs, MOSFETs एकल FETs, MOSFETs
एफईटी सुविधा:
-
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी:
900mV @ 250µA
परिचालन तापमान:
-55 डिग्री सेल्सियस ~ 150 डिग्री सेल्सियस (टीजे)
पैकेज / मामला:
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस:
12 एनसी @ 4.5 वी
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस:
44mOhm @ 3.7A, 4.5V
एफईटी प्रकार:
n- चैनल
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू):
1.8 वी, 4.5 वी
पैकेज:
टेप और रील (TR)
कट टेप (सीटी)
Digi-Reel®
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस):
30 वी
वीजीएस (अधिकतम):
± 12 वी
उत्पाद की स्थिति:
सक्रिय
इनपुट कैपेसिटेंस (Ciss) (अधिकतम) @ Vds:
635 पीएफ @ 15 वी
माउंटिंग प्रकार:
सतह माउंट
श्रृंखला:
-
आपूर्तिकर्ता उपकरण पैकेज:
टू-236AB
एमएफआर:
नेक्सपीरिया यूएसए इंक।
करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C:
3.7ए (ता)
बिजली अपव्यय (अधिकतम):
490mW (Ta)
प्रौद्योगिकी:
MOSFET (धातु ऑक्साइड)
मूल उत्पाद संख्या:
पीएमवी40यूएन2
परिचय
एन-चैनल 30 V 3.7A (Ta) 490mW (Ta) सतह माउंट TO-236AB
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