US1J-E3/61T
निर्माता:
विशाय जनरल सेमीकंडक्टर - डायोड डिवीजन
विवरण:
डायोड जेन पर्प 600V 1A DO214AC
श्रेणी:
असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद
विनिर्देश
श्रेणी:
असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद डायोड रेक्टिफायर सिंगल डायोड
उत्पाद की स्थिति:
सक्रिय
करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr:
10 μA @ 600 वी
माउंटिंग प्रकार:
सतह माउंट
वोल्टेज - फॉरवर्ड (Vf) (अधिकतम) @ अगर:
1.7 वी @ 1 ए
पैकेज:
टेप और रील (TR)
कट टेप (सीटी)
Digi-Reel®
श्रृंखला:
-
कैपेसिटेंस @ वीआर, एफ:
10pF @ 4V, 1MHz
आपूर्तिकर्ता उपकरण पैकेज:
डीओ-214एसी (एसएमए)
रिवर्स रिकवरी टाइम (टीआरआर):
75 एनएस
एमएफआर:
विषय जनरल सेमीकंडक्टर - डायोड डिवीजन
प्रौद्योगिकी:
मानक
ऑपरेटिंग तापमान - जंक्शन:
-55 डिग्री सेल्सियस ~ 150 डिग्री सेल्सियस
पैकेज / मामला:
DO-214AC, SMA
वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम):
600 वी
वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ):
1 क
गति:
तेज़ रिकवरी =< 500ns, > 200mA (Io)
मूल उत्पाद संख्या:
यूएस1जे
परिचय
डायोड 600 V 1A सतह माउंट DO-214AC (SMA)
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वीएस-60ईपीएफ04-एम3 |
DIODE GP 400V 60A TO247AC
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एमसीएल4448-टीआर |
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VS-20ETS08S-M3 |
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BYG10Y-E3/TR |
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वीएस-150ईबीयू02 |
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वीएस-40ईपीएफ12-एम3 |
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एमएसएस1पी6-एम3/89ए |
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SS10PH10HM3_A/I |
DIODE SCHOTTKY 100V 10A TO277A
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BYV26C-टैप |
DIODE AVALANCHE 600V 1A SOD57
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S3M-E3/57T |
DIODE GEN PURP 1KV 3A DO214AB
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VS-15ETH06-M3 |
DIODE GEN PURP 600V 15A TO220AC
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ES07D-GS08 |
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RS07J-GS08 |
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VS-10BQ060-M3/5BT |
DIODE SCHOTTKY 60V 1A DO214AA
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