70V261L25PFGI
निर्माता:
रेनेसस इलेक्ट्रॉनिक्स अमेरिका इंक
विवरण:
आईसी SRAM 256KBIT समानांतर 100TQFP
श्रेणी:
अर्धचालक
विनिर्देश
श्रेणी:
एकीकृत सर्किट (IC)
स्मृति
स्मृति
उत्पाद की स्थिति:
सक्रिय
माउंटिंग प्रकार:
सतह माउंट
पैकेज:
ट्रे
श्रृंखला:
-
डिजीकी प्रोग्रामयोग्य:
सत्यापित नहीं
मेमोरी इंटरफ़ेस:
समानांतर
चक्र समय लिखें - शब्द, पृष्ठ:
25एनएस
आपूर्तिकर्ता उपकरण पैकेज:
100-टीक्यूएफपी (14x14)
मेमोरी प्रकार:
परिवर्तनशील
एमएफआर:
रेनेसस इलेक्ट्रॉनिक्स अमेरिका इंक
मेमोरी का आकार:
256 केबीटी
वोल्टेज - आपूर्ति:
3V ~ 3.6V
पहूंच समय:
25 एनएस
पैकेज / मामला:
100-एलक्यूएफपी
स्मृति संगठन:
16के x 16
परिचालन तापमान:
-40°C ~ 85°C (TA)
प्रौद्योगिकी:
SRAM - डुअल पोर्ट, एसिंक्रोनस
मूल उत्पाद संख्या:
70वी261
मेमोरी प्रारूप:
एसआरएएम
परिचय
एसआरएएम - डबल पोर्ट, असिंक्रोनस मेमोरी आईसी 256Kbit समानांतर 25 ns 100-TQFP (14x14)
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