RMLV0816BGSB-4S2#AA0
निर्माता:
रेनेसस इलेक्ट्रॉनिक्स अमेरिका इंक
विवरण:
आईसी SRAM 8MBIT समानांतर 44TSOP II
श्रेणी:
अर्धचालक
विनिर्देश
श्रेणी:
एकीकृत सर्किट (IC)
स्मृति
स्मृति
उत्पाद की स्थिति:
सक्रिय
माउंटिंग प्रकार:
सतह माउंट
पैकेज:
ट्रे
श्रृंखला:
-
डिजीकी प्रोग्रामयोग्य:
सत्यापित नहीं
मेमोरी इंटरफ़ेस:
समानांतर
चक्र समय लिखें - शब्द, पृष्ठ:
45एनएस
आपूर्तिकर्ता उपकरण पैकेज:
44-टीएसओपी II
मेमोरी प्रकार:
परिवर्तनशील
एमएफआर:
रेनेसस इलेक्ट्रॉनिक्स अमेरिका इंक
मेमोरी का आकार:
8 एमबीटी
वोल्टेज - आपूर्ति:
2.4 वी ~ 3.6 वी
पहूंच समय:
45 एनएस
पैकेज / मामला:
44-टीएसओपी (0.400", 10.16 मिमी चौड़ाई)
स्मृति संगठन:
512K x 16
परिचालन तापमान:
-40°C ~ 85°C (TA)
प्रौद्योगिकी:
एसआरएएम
मूल उत्पाद संख्या:
आरएमएलवी0816
मेमोरी प्रारूप:
एसआरएएम
परिचय
एसआरएएम मेमोरी आईसी 8 एमबीट समानांतर 45 एनएस 44-टीएसओपी II
आरएफक्यू भेजें
स्टॉक:
एमओक्यू: