S25FL064P0XBHI020
ai चिप 64Mbit मेमोरी एकीकृत सर्किट
,एआई चिप 8 एम एक्स 8 आईसी मेमोरी चिप
,ai चिप S25FL064P0XBHI020
फ्लैश - एनओआर मेमोरी आईसी 64 एमबीआईटी एसपीआई - क्वाड आई/ओ 104 मेगाहर्ट्ज 24-बीजीए (8x6)
प्रकार | पैरामीटर |
फैक्ट्री लीड टाइम | 11 सप्ताह |
माउंटिंग प्रकार | सतह माउंट |
पिनों की संख्या | 24 |
पैकेजिंग | ट्रे |
प्रकाशित | 2013 |
नमी के प्रति संवेदनशीलता स्तर (MSL) | 3 (168 घंटे) |
ईसीएन कोड | 3A991.B.1. ए |
वोल्टेज आपूर्ति | 2.7V~3.6V |
कार्य की संख्या | 1 |
टर्मिनल पिच | 1.2 मिमी |
विद्युत आपूर्ति | 3/3.3V |
इंटरफेस | एसपीआई, सीरियल |
नाममात्र आपूर्ति धारा | 26mA |
घड़ी की आवृत्ति | 104MHz |
मेमोरी प्रारूप | फ्लैश |
डेटा बस चौड़ाई | 8b |
मेमोरी चौड़ाई | 1 |
पता बस चौड़ाई | 1b |
स्टैंडबाय करंट-मैक्स | 0.00001A |
शब्द का आकार | 1b |
सीरियल बस प्रकार | एसपीआई |
डेटा भंडारण समय-मिनट | 20 |
पृष्ठ का आकार | 256B |
बैठने की ऊँचाई (अधिकतम) | 1 मिमी |
विकिरण कठोरता | नहीं |
पर्वत | सतह माउंट |
पैकेज / मामला | 24-टीबीजीए |
परिचालन तापमान | -40°C~85°C टीए |
श्रृंखला | FL-P |
भाग की स्थिति | अप्रचलित |
समाप्ति की संख्या | 24 |
एचटीएस कोड | 8542.32.00.51 |
टर्मिनल स्थिति | तल |
आपूर्ति वोल्टेज | 3V |
आपूर्ति वोल्टेज-अधिकतम (Vsup) | 3.6V |
आपूर्ति वोल्टेज-मिन (Vsup) | 2.7V |
मेमोरी का आकार | 64Mb 8M x8 |
मेमोरी प्रकार | अस्थिर |
पहुँच समय | 8 एनएस |
मेमोरी इंटरफ़ेस | एसपीएल-क्वाड 1/0 |
संगठन | 64MX1 |
चक्र समय लिखें -शब्द, पृष्ठ | 5us, 3ms |
घनत्व | 64 एमबी |
Sync/Async | समकालिक |
प्रोग्रामिंग वोल्टेज | 3V |
धीरज | 100000 लेखन/शोधन चक्र |
लेखन सुरक्षा | हार्डवेयर/सॉफ्टवेयर |
लम्बाई | 8 मिमी |
REACH एसवीएचसी | कोई एसवीएचसी नहीं |
RoHS स्थिति | ROHS3 अनुरूप |
S25FL064P0XBHI020 अवलोकन
जहां तक इसकी मेमोरी प्रकार जाता है, यह गैर-विलायक श्रेणी में आता है। आप एक ट्रे मामले में मेमोरी आईसी प्राप्त कर सकते हैं। 24-टीबीजीए मामले इसे संलग्न करता है। चिप पर 64 एमबी 8 एम एक्स 8 मेमोरी है।डिवाइस एक मुख्यधारा के फ्लैश प्रारूप स्मृति का उपयोग करता है. मांग वाले अनुप्रयोगों की एक विस्तृत श्रृंखला में उपयोग के लिए उपयुक्त, यह उपकरण -40 °C ~ 85 °C TA की एक विस्तारित ऑपरेटिंग तापमान रेंज प्रदान करता है। आपूर्ति वोल्टेज के लिए 2.7V ~ 3.6V की वोल्टेज रेंज है.यह अनुशंसा की जाती है कि माउंट प्रकार सतह माउंट हो। चिप पर 24 समापन हैं। व्यापक कार्य प्रक्रिया के हिस्से के रूप में इस भाग द्वारा समर्थित 1 कार्य हैं।स्मृति उपकरण को ठीक से काम करने के लिए एक 3V वोल्ट बिजली की आपूर्ति के साथ आपूर्ति करने के लिए डिज़ाइन किया गया है. यह 104MHz की एक घड़ी आवृत्ति है. इस आईसी स्मृति चिप में, वहाँ एक 24-पिन पैकेज है कि डिवाइस को शामिल है. सतह माउंट माउंट विन्यास के परिणामस्वरूप, यह एक बहुत ही अच्छा है.इस चिप को सीधा होने के लिए डिज़ाइन किया गया है, उच्च दक्षता, और स्थापित करने में आसान है। जहां तक इस मेमोरी घटक का नाममात्र आपूर्ति करंट का सवाल है, यह 26mA का है। बिजली की आपूर्ति के लिए, इस मेमोरी चिप को केवल 3/3.3V की आवश्यकता है।यह भाग FL-P श्रृंखला के स्मृति उपकरणों का हिस्सा हैइस मेमोरी में एक एसपीआई प्रकार का सीरियल बस एकीकृत है जो सीपीयू को डेटा ट्रांसमिशन की सुविधा प्रदान करता है।कुछ अस्थिर मेमोरी सरणी के लिए आवश्यक प्रोग्रामिंग वोल्टेज 3V है.
S25FL064P0XBHI020 विशेषताएं
पैकेज / मामलाः 24-टीबीजीए
24 पिन
S25FL064P0XBHI020 आवेदन
साइप्रस सेमीकंडक्टर कॉर्प के बहुत सारे हैं
S25FL064P0XBHI020 मेमोरी अनुप्रयोग।
मल्टीमीडिया कंप्यूटर
नेटवर्क बनाना
पर्सनल कंप्यूटर
सर्वर
सुपरकंप्यूटर
दूरसंचार
कार्यस्थलों,
डीवीडी डिस्क बफर
डेटा बफर
अस्थिर BIOS मेमोरी

S29GL032N90BFI030

S29GL512P11TFI010

S29GL512P10FFCR10

S34ML04G100BHI000

S34ML02G200BHI000

S34ML08G201TFI000

S29GL256N10TFI010

S25FL128P0XMFI001

S29PL032J55BFI120

S29GL064N90BFI040
छवि | भाग # | विवरण | |
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S29GL032N90BFI030 |
IC FLASH 32MBIT PARALLEL 48FBGA
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S29GL512P11TFI010 |
IC FLASH 512MBIT PARALLEL 56TSOP
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S29GL512P10FFCR10 |
IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGA
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S34ML04G100BHI000 |
IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63BGA
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S34ML02G200BHI000 |
IC FLASH 2GBIT PARALLEL 63BGA
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S34ML08G201TFI000 |
IC FLASH 8GBIT PARALLEL 48TSOP I
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S29GL256N10TFI010 |
IC FLASH 256MBIT PARALLEL 56TSOP
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S25FL128P0XMFI001 |
IC FLASH 128MBIT SPI 16SOIC
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S29PL032J55BFI120 |
IC FLASH 32MBIT PARALLEL 48FBGA
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S29GL064N90BFI040 |
IC FLASH 64MBIT PARALLEL 48FBGA
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