FQP32N20C
निर्माता:
एकमुश्त
विवरण:
MOSFET एन-सीएच 200V 28A TO-220
श्रेणी:
अर्धचालक
विनिर्देश
उत्पाद श्रेणी:
MOSFET
वीजीएस (अधिकतम):
± 30 वी
करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C:
28ए (टीसी)
@ मात्रा:
0
एफईटी प्रकार:
n- चैनल
माउंटिंग प्रकार:
छेद से
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस:
110 एनसी @ 10 वी
निर्माता:
अर्ध-
न्यूनतम मात्रा:
1
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू):
10 वी
फैक्टरी स्टॉक:
166000
परिचालन तापमान:
-55 डिग्री सेल्सियस ~ 150 डिग्री सेल्सियस (टीजे)
एफईटी सुविधा:
-
श्रृंखला:
क्यूएफईटी®
इनपुट कैपेसिटेंस (Ciss) (अधिकतम) @ Vds:
2200pF @ 25V
आपूर्तिकर्ता उपकरण पैकेज:
टू-220AB
भाग की स्थिति:
सक्रिय
पैकेजिंग:
ट्यूब
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस:
82 एमओहम @ 14ए, 10वी
बिजली अपव्यय (अधिकतम):
156W (Tc)
पैकेज / मामला:
TO-220-3
प्रौद्योगिकी:
MOSFET (धातु ऑक्साइड)
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी:
4V @ 250µA
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस):
200 वी
परिचय
FQP32N20C,onsemi से,MOSFET है.हम जो पेशकश करते हैं वह वैश्विक बाजार में प्रतिस्पर्धी मूल्य है,जो मूल और नए भागों में हैं।यदि आप उत्पादों के बारे में अधिक जानना चाहते हैं या कम कीमत लागू करना चाहते हैं, कृपया हमसे संपर्क करें ऑनलाइन चैट के माध्यम से या हमें एक उद्धरण भेजें!
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