2एसके2837
निर्माता:
तोशिबा सेमीकंडक्टर
विवरण:
सिलिकॉन एन चैनल एमओएस प्रकार (π−MOSV)
श्रेणी:
अर्धचालक
विनिर्देश
ट्रांजिस्टर ध्रुवीयता:
n- चैनल
उत्पाद श्रेणी:
MOSFET
न्यूनतम ऑपरेटिंग तापमान:
- 55 सी
पीडी-शक्ति अपव्यय:
150 डब्ल्यू
सामान्य विलंब समय:
23 एनएस
पतझड़ का समय:
50 एनएस
Vds-ड्रेन स्रोत ब्रेकडाउन वोल्टेज:
500 वी
निर्माता:
तोशिबा सेमीकंडक्टर
लम्बाई:
15.5 मिमी
विन्यास:
एकल
वीजीएस - गेट-सोर्स वोल्टेज:
30 वी
आरडीएस ऑन-ड्रेन स्रोत ऑन-प्रतिरोध:
270 एमएएच
वृद्धि समय:
30 एनएस
चैनलों की संख्या:
1 चैनल
सामान्य शटडाउन विलंब समय:
71 एन.एस
ऊँचाई:
20 मिमी
आईडी-निरंतर नाली धारा:
20 ए
स्थापना शैली:
छेद से
अधिकतम ऑपरेटिंग तापमान:
+ 150 सी
चैनल मोड:
वृद्धि
प्रौद्योगिकी:
सी
चौड़ाई:
4.5 मिमी
परिचय
तोशिबा सेमीकंडक्टर के 2SK2837 में MOSFET है। हम जो पेशकश करते हैं वह वैश्विक बाजार में प्रतिस्पर्धी मूल्य है, जो मूल और नए भागों में हैं।यदि आप उत्पादों के बारे में अधिक जानना चाहते हैं या कम कीमत लागू करना चाहते हैं, कृपया हमसे संपर्क करें ऑनलाइन चैट के माध्यम से या हमें एक उद्धरण भेजें!
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