FDN359AN
निर्माता:
एकमुश्त
विवरण:
MOSFET एन-सीएच 30V 2.7A एसएसओटी-3
श्रेणी:
अर्धचालक
विनिर्देश
उत्पाद श्रेणी:
MOSFET
वीजीएस (अधिकतम):
± 20 वी
करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C:
2.7ए (ता)
@ मात्रा:
0
एफईटी प्रकार:
n- चैनल
माउंटिंग प्रकार:
सतह माउंट
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस:
7एनसी @ 5V
निर्माता:
अर्ध-
न्यूनतम मात्रा:
3000
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू):
4.5 वी, 10 वी
फैक्टरी स्टॉक:
0
परिचालन तापमान:
-55 डिग्री सेल्सियस ~ 150 डिग्री सेल्सियस (टीजे)
एफईटी सुविधा:
-
श्रृंखला:
पॉवरट्रेंच®
इनपुट कैपेसिटेंस (Ciss) (अधिकतम) @ Vds:
480pF @ 10V
आपूर्तिकर्ता उपकरण पैकेज:
सुपरसॉट-3
भाग की स्थिति:
सक्रिय
पैकेजिंग:
टेप और रील (TR)
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस:
46 एमओहम @ 2.7A, 10V
बिजली अपव्यय (अधिकतम):
500mW (टा)
पैकेज / मामला:
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
प्रौद्योगिकी:
MOSFET (धातु ऑक्साइड)
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी:
3V @ 250µA
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस):
30 वी
परिचय
FDN359AN,onsemi से,MOSFET है.हम जो पेशकश करते हैं वह वैश्विक बाजार में प्रतिस्पर्धी मूल्य है,जो मूल और नए भागों में हैं.यदि आप उत्पादों के बारे में अधिक जानना चाहते हैं या कम कीमत लागू करना चाहते हैं, कृपया हमसे संपर्क करें ऑनलाइन चैट के माध्यम से या हमें एक उद्धरण भेजें!
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