IPB031N08N5ATMA1
निर्माता:
इन्फिनियन टेक्नोलॉजीज
विवरण:
MOSFET एन-सीएच 80V TO263-3
श्रेणी:
अर्धचालक
विनिर्देश
उत्पाद श्रेणी:
MOSFET
वीजीएस (अधिकतम):
± 20 वी
करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C:
120ए (टीसी)
@ मात्रा:
0
एफईटी प्रकार:
n- चैनल
माउंटिंग प्रकार:
सतह माउंट
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस:
87एनसी @ 10V
निर्माता:
इन्फिनियन टेक्नोलॉजीज
न्यूनतम मात्रा:
1000
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू):
6 वी, 10 वी
फैक्टरी स्टॉक:
0
परिचालन तापमान:
-55 डिग्री सेल्सियस ~ 175 डिग्री सेल्सियस (टीजे)
एफईटी सुविधा:
-
श्रृंखला:
ऑप्टिमोस™
इनपुट कैपेसिटेंस (Ciss) (अधिकतम) @ Vds:
6240pF @ 40V
आपूर्तिकर्ता उपकरण पैकेज:
D²PAK (TO-263AB)
भाग की स्थिति:
सक्रिय
पैकेजिंग:
टेप और रील (TR)
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस:
3.1 एमओहम @ 100A, 10V
बिजली अपव्यय (अधिकतम):
167W (टीसी)
पैकेज / मामला:
TO-263-3, D²Pak (2 लीड + टैब), TO-263AB
प्रौद्योगिकी:
MOSFET (धातु ऑक्साइड)
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी:
3.8V @ 108µA
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस):
80 वी
परिचय
Infineon Technologies का IPB031N08N5ATMA1, एक MOSFET है। हम जो पेशकश करते हैं वह वैश्विक बाजार में प्रतिस्पर्धी मूल्य है, जो मूल और नए भागों में हैं।यदि आप उत्पादों के बारे में अधिक जानना चाहते हैं या कम कीमत लागू करना चाहते हैं, कृपया हमसे संपर्क करें ऑनलाइन चैट के माध्यम से या हमें एक उद्धरण भेजें!
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