STW69N65M5
निर्माता:
एसटीएमइक्रोइलेक्ट्रॉनिक्स
विवरण:
MOSFET एन-सीएच 650V 58A TO-247
श्रेणी:
अर्धचालक
विनिर्देश
उत्पाद श्रेणी:
MOSFET
वीजीएस (अधिकतम):
± 25 वी
करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C:
58ए (टीसी)
@ मात्रा:
0
एफईटी प्रकार:
n- चैनल
माउंटिंग प्रकार:
छेद से
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस:
143एनसी @ 10V
निर्माता:
एसटीएमइक्रोइलेक्ट्रॉनिक्स
न्यूनतम मात्रा:
1
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू):
10 वी
फैक्टरी स्टॉक:
0
परिचालन तापमान:
150 डिग्री सेल्सियस (टीजे)
एफईटी सुविधा:
-
श्रृंखला:
एमडीएमश ™ वी
इनपुट कैपेसिटेंस (Ciss) (अधिकतम) @ Vds:
6420pF @ 100V
आपूर्तिकर्ता उपकरण पैकेज:
टू-247
भाग की स्थिति:
सक्रिय
पैकेजिंग:
ट्यूब
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस:
45 एमओहम @ 29A, 10V
बिजली अपव्यय (अधिकतम):
330W (टीसी)
पैकेज / मामला:
TO-247-3
प्रौद्योगिकी:
MOSFET (धातु ऑक्साइड)
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी:
5V @ 250µA
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस):
650 वी
परिचय
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