एफडीएस 6930 बी
निर्माता:
एकमुश्त
विवरण:
MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8SOIC
श्रेणी:
अर्धचालक
विनिर्देश
आपूर्तिकर्ता उपकरण पैकेज:
8-एसओआईसी
उत्पाद श्रेणी:
MOSFET
फैक्टरी स्टॉक:
0
न्यूनतम मात्रा:
2500
इनपुट कैपेसिटेंस (Ciss) (अधिकतम) @ Vds:
412pF @ 15V
पैकेज / मामला:
8-SOIC (0.154", 3.90 मिमी चौड़ाई)
भाग की स्थिति:
सक्रिय
करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C:
5.5ए
पैकेजिंग:
टेप और रील (TR)
@ मात्रा:
0
परिचालन तापमान:
-55 डिग्री सेल्सियस ~ 150 डिग्री सेल्सियस (टीजे)
एफईटी प्रकार:
2 एन-चैनल (दोहरी)
एफईटी सुविधा:
तर्क स्तर गेट
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस):
30 वी
माउंटिंग प्रकार:
सतह माउंट
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस:
3.8एनसी @ 5V
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस:
38 एमओहम @ 5.5A, 10V
पावर - मैक्स:
900mW
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी:
3V @ 250µA
श्रृंखला:
पॉवरट्रेंच®
निर्माता:
अर्ध-
परिचय
FDS6930B, onsemi से, MOSFET है. हम क्या पेशकश वैश्विक बाजार में प्रतिस्पर्धी मूल्य है, जो मूल और नए भागों में कर रहे हैं.यदि आप उत्पादों के बारे में अधिक जानना चाहते हैं या कम कीमत लागू करना चाहते हैं, कृपया हमसे संपर्क करें ऑनलाइन चैट के माध्यम से या हमें एक उद्धरण भेजें!
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