FCD9N60NTM
निर्माता:
एकमुश्त
विवरण:
MOSFET एन-सीएच 600V 9A DPAK
श्रेणी:
अर्धचालक
विनिर्देश
उत्पाद श्रेणी:
MOSFET
वीजीएस (अधिकतम):
± 30 वी
करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C:
9A (Tc)
@ मात्रा:
0
एफईटी प्रकार:
n- चैनल
माउंटिंग प्रकार:
सतह माउंट
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस:
17.8एनसी @ 10V
निर्माता:
अर्ध-
न्यूनतम मात्रा:
2500
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू):
10 वी
फैक्टरी स्टॉक:
0
परिचालन तापमान:
-55 डिग्री सेल्सियस ~ 150 डिग्री सेल्सियस (टीजे)
एफईटी सुविधा:
-
श्रृंखला:
सुप्रीमोस™
इनपुट कैपेसिटेंस (Ciss) (अधिकतम) @ Vds:
1000pF @ 100V
आपूर्तिकर्ता उपकरण पैकेज:
डी पाक
भाग की स्थिति:
सक्रिय
पैकेजिंग:
टेप और रील (TR)
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस:
385 एमओहम @ 4.5A, 10V
बिजली अपव्यय (अधिकतम):
92.6W (टीसी)
पैकेज / मामला:
TO-252-3, DPak (2 लीड्स + टैब), SC-63
प्रौद्योगिकी:
MOSFET (धातु ऑक्साइड)
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी:
5V @ 250µA
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस):
600 वी
परिचय
FCD9N60NTM, onsemi से, MOSFET है.हम जो पेशकश करते हैं वह वैश्विक बाजार में प्रतिस्पर्धी मूल्य है, जो मूल और नए भागों में हैं।यदि आप उत्पादों के बारे में अधिक जानना चाहते हैं या कम कीमत लागू करना चाहते हैं, कृपया हमसे संपर्क करें ऑनलाइन चैट के माध्यम से या हमें एक उद्धरण भेजें!
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