एमसी33152DR2G
निर्माता:
एकमुश्त
विवरण:
आईसी चालक मोस्फेट दोहरी एचएस 8एसओआईसी
श्रेणी:
अर्धचालक
विनिर्देश
उत्पाद श्रेणी:
गेट चालक
हाई साइड वोल्टेज - मैक्स (बूटस्ट्रैप):
-
उदय / पतन का समय (टाइप):
36एनएस, 32एनएस
लॉजिक वोल्टेज - VIL, VIH:
0.8 वी, 2.6 वी
वोल्टेज - आपूर्ति:
6.1 वी ~18 वी
चैनल प्रकार:
स्वतंत्र
@ मात्रा:
0
माउंटिंग प्रकार:
सतह माउंट
निर्माता:
अर्ध-
न्यूनतम मात्रा:
2500
फैक्टरी स्टॉक:
0
परिचालन तापमान:
-40 डिग्री सेल्सियस ~ 150 डिग्री सेल्सियस (टीजे)
ड्राइवरों की संख्या:
2
श्रृंखला:
-
आपूर्तिकर्ता उपकरण पैकेज:
8-एसओआईसी
भाग की स्थिति:
सक्रिय
पैकेजिंग:
टेप और रील (TR)
गेट प्रकार:
एन-चैनल MOSFET
संचालित विन्यास:
निम्न पक्ष
निवेष का प्रकार:
उल्टा नहीं करने वाला
पैकेज / मामला:
8-SOIC (0.154", 3.90 मिमी चौड़ाई)
वर्तमान - पीक आउटपुट (स्रोत, सिंक):
1.5ए, 1.5ए
परिचय
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