K4B4G1646D-बीसीएमए
निर्माता:
सैमसंग अर्धचालक
विवरण:
4जीबी बी-डाई डीडीआर3 एसडीआरएएम ओल्नी x16
श्रेणी:
अर्धचालक
विनिर्देश
घनत्व:
4GB
उत्पाद श्रेणी:
मेमोरी आईसी
पैकेजिंग:
ट्रे
वोल्टेज:
1.5 वी
पैकेज:
एफबीजीए-96
अस्थायी।:
0 ~ 85 डिग्री सेल्सियस
संगठन:
256M x 16
RoHS:
हरा उपलब्ध
उत्पाद की स्थिति:
बड़े पैमाने पर उत्पादन
गति:
1866 एमबीपीएस
निर्माता:
सैमसंग सेमीकंडक्टर
परिचय
K4B4G1646D-BCMA, सैमसंग सेमीकंडक्टर से,मेमोरी आईसी है. हम क्या पेशकश वैश्विक बाजार में प्रतिस्पर्धी मूल्य है, जो मूल और नए भागों में कर रहे हैं.यदि आप उत्पादों के बारे में अधिक जानना चाहते हैं या कम कीमत लागू करना चाहते हैं, कृपया हमसे संपर्क करें ऑनलाइन चैट के माध्यम से या हमें एक उद्धरण भेजें!
Related Products
K9F4G08U0B-PCB0
512M x 8 Bits / 1G x 8 Bits NAND Flash Memory
K4S641632K-UC60
64Mb K-die SDRAM
K9F2G08U0D-SCB0
256M x 8 Bit NAND Flash Memory
K9K8G08U0A-PIB0
1G x 8 Bit / 2G x 8 Bit NAND Flash Memory
KLUEG8U1EM-B0B1
Memory IC
K4B2G1646F-BCK0
96FBGA with Lead-Free & Halogen-Free
K4H511638J-LCCC
512Mb C-die DDR SDRAM Specification
K9F1G08U0E-SCB0
1Gb E-die NAND Flash
K4W1G1646E-HC12
Graphic Memory
K4T1G084QF-BCF7
1Gb F-die DDR2 SDRAM
| छवि | भाग # | विवरण | |
|---|---|---|---|
|
|
K9F4G08U0B-PCB0 |
512M x 8 Bits / 1G x 8 Bits NAND Flash Memory
|
|
|
|
K4S641632K-UC60 |
64Mb K-die SDRAM
|
|
|
|
K9F2G08U0D-SCB0 |
256M x 8 Bit NAND Flash Memory
|
|
|
|
K9K8G08U0A-PIB0 |
1G x 8 Bit / 2G x 8 Bit NAND Flash Memory
|
|
|
|
KLUEG8U1EM-B0B1 |
Memory IC
|
|
|
|
K4B2G1646F-BCK0 |
96FBGA with Lead-Free & Halogen-Free
|
|
|
|
K4H511638J-LCCC |
512Mb C-die DDR SDRAM Specification
|
|
|
|
K9F1G08U0E-SCB0 |
1Gb E-die NAND Flash
|
|
|
|
K4W1G1646E-HC12 |
Graphic Memory
|
|
|
|
K4T1G084QF-BCF7 |
1Gb F-die DDR2 SDRAM
|
आरएफक्यू भेजें
स्टॉक:
एमओक्यू: