MT29RZ4B2DZZHHWD-18I.84F
निर्माता:
माइक्रोन प्रौद्योगिकी
विवरण:
आईसी फ्लैश रैम 4G PARALLEL 533MHZ
श्रेणी:
अर्धचालक
विनिर्देश
प्रौद्योगिकी:
फ़्लैश - NAND, DRAM - LPDDR2
उत्पाद श्रेणी:
मेमोरी आईसी
मेमोरी प्रकार:
गैर वाष्पशील
फैक्टरी स्टॉक:
0
चक्र समय लिखें - शब्द, पृष्ठ:
-
आपूर्तिकर्ता उपकरण पैकेज:
162-वीएफबीजीए (10.5x8)
पहूंच समय:
-
मेमोरी प्रारूप:
फ्लैश, राम
भाग की स्थिति:
सक्रिय
मेमोरी का आकार:
4Gb (128M x 32) ((NAND), 2G (64M x 32) ((LPDDR2)
पैकेजिंग:
ट्रे
@ मात्रा:
0
परिचालन तापमान:
-40°C ~ 85°C (TA)
न्यूनतम मात्रा:
1440
मेमोरी इंटरफ़ेस:
समानांतर
पैकेज / मामला:
162-वीएफबीजीए
माउंटिंग प्रकार:
सतह माउंट
घड़ी की आवृत्ति:
533 मेगाहर्ट्ज
वोल्टेज - आपूर्ति:
1.8 वी
श्रृंखला:
-
निर्माता:
माइक्रोन प्रौद्योगिकी
परिचय
एमटी29आरजेड4बी2डीजेडजेडएचएचडब्ल्यूडी-18आई.84एफ,माइक्रॉन टेक्नोलॉजी से,मेमोरी आईसी है।हम जो पेशकश करते हैं,उसकी वैश्विक बाजार में प्रतिस्पर्धी कीमत है,जो मूल और नए भागों में हैं।यदि आप उत्पादों के बारे में अधिक जानना चाहते हैं या कम कीमत लागू करना चाहते हैं, कृपया हमसे संपर्क करें ऑनलाइन चैट के माध्यम से या हमें एक उद्धरण भेजें!
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